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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-67 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.92 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 2.5 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1411_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon PNP Triple Diffused Type |
|
| 2SB1412 | ROHM |
获取价格 |
Low Frequency Transistor(-20V,-5A) |
|
| 2SB1412 | TYSEMI |
获取价格 |
Low VCE(sat). PNP silicon transistor. Collector-base voltage VCBO -30 V |
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| 2SB1412 | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
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| 2SB1412 | KEXIN |
获取价格 |
Low Frequency Transistor |
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| 2SB1412 | SECOS |
获取价格 |
PNP Silicon Low Frequency Transistor |
|
| 2SB1412 | CJ |
获取价格 |
TO-252-2L |
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| 2SB1412 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-252 |
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| 2SB1412(TO-251) | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
20V,5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
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| 2SB1412(TO-252) | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
20V,5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
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