2SB1260-P

更新时间： 2024-11-04 07:30:03

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美微科 - MCC		晶体晶体管
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PNP Plastic-Encapsulate Transistors

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2SB1260-P 数据手册

M C C

2SB1260-P

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2SB1260-R

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20736 Marilla Street Chatsworth

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Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

PNP

•

Plastic-Encapsulate

Moisure Sensitivity Level 1

Power dissipation: P_CM= 0.5W(T_amb=25?)

Transistors

Collector current: I_CM= -1A

Collector-base voltage: V_(BR)CBO= -80V

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55? to + 150?

SOT-89

Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mA, I_B=0)

Min

-80

Typ

---

Max

Unit

---

(BR)^CEO

Collector-Base Breakdown Voltage

-80

---

(BR)^CBO

---

(I_C=-50IA, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(BR)^EBO

-5.0

---

(I_E=-50IA, I_C=0)

Collector cut-off Current

(V_CB=-60V, I_E=0)

I_CBO

I_EBO

h_FE

-1.0

390

---

Emitter cut-off Current

(V_EB=-4V, I_C=0)

DC current gain

---

(V_CE=-3V, I_C=-0.1A)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-0.5A, I_B=-0.05A)

Transition Frequency

(V_CE=-5.0Vdc, I_C=-0.05Adc,F=30MHZ)

V_CE(sat)

f_T

---

-0.4

---

MHZ

1.Base

2.Collector

3.Emitter

CLASSIFICATION OF h^FE

Rank

Range

Marking

82-180

120-270

180-390

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www.mccsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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