5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> 2SB1182TLQ
2SB1182TLQ PDF预览

2SB1182TLQ

更新时间： 2024-02-22 21:16:36
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 92K
描述
Power Transistor (−80V, −1A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SB1182TLQ 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.63外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：32 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：10 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SB1182TLQ 数据手册

 浏览型号2SB1182TLQ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1182TLQ的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistor (−80V, −1A)  
2SB1260 / 2SB1181  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Hight breakdown voltage and high current.  
BVCEO= −80V, IC = −1A  
2) Good hFE linearty.  
3) Low VCE(sat).  
4) Complements the 2SD1898 / 2SD1733.  
2SB1260  
2SB1181  
+
0.2  
2.3  
6.5 0.2  
0.2  
C0.5  
+
5.1  
+0.2  
4.5  
0.5 0.1  
1.5  
1.6 0.1  
0.65 0.1  
0.75  
(1) (2) (3)  
0.9  
+0.1  
0.4  
0.55 0.1  
1.0 0.2  
0.5 0.1  
3.0 0.2  
2.3 0.2 2.3 0.2  
0.4 0.1  
1.5 0.1  
0.4 0.1  
1.5 0.1  
Structure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
(1) (2) (3)  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−80  
−80  
−5  
−1  
−2  
0.5  
2
V
V
V
I
C
A (DC)  
Collector current  
∗1  
∗2  
I
CP  
A (Pulse)  
2SB1260  
W
Collector power  
dissipation  
PC  
2SB1181  
2SB1181  
1
10  
150  
W (Tc=25°C  
)
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
1 2SB1260 : Pw=20ms duty=1/2  
2 2SB1260 : When mounted on a 40  
∗
×40×0.7 mm ceramic board.  
∗
Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
Unit  
Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−80  
−80  
−5  
−
−
−
V
V
V
I
I
I
C
= −50  
= −1mA  
= −50  
μ
A
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
C
−
−
E
μ
A
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−1  
−1  
−0.4  
390  
−
μA  
V
CB= −60V  
EB= −4V  
I
−
−
μA  
V
Emitter cutoff current  
V
−
−
V
I
C
/I  
B
= −500mA/ −50mA  
= −0.1A  
=50mA, f=100MHz  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
h
120  
−
−
−
MHz  
pF  
V
CE= −3V, I  
C
Transition frequency 2SB1181  
fT  
100  
20  
25  
V
CE= −10V, I  
CB= −10V  
E
V
2SB1260  
−
−
Output capacitance  
Cob  
I
E
=0A  
2SB1181  
−
−
pF  
f=1MHz  
www.rohm.com  
2012.01 - Rev.G  
1/2  
c
○ 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

中文翻译

下载PDF

2SB1182TLQ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SB1182TLR ROHM

类似代替

 Medium power transistor (32V,2A)
2SB1182TL/P ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT3, SC-
2SB1182TL/Q ROHM

功能相似

 2000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CPT3, SC-63, 3 PIN

与2SB1182TLQ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1182TLR ROHM

获取价格

 		Medium power transistor (32V,2A)
2SB1182TR/P ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1182TR/PQ ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1182TR/PR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1183 ROHM

获取价格

 		Darlington connection for high DC current gain.
2SB1183F5 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252
2SB1183F5TLA ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1183TL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT3, SC-
2SB1183TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1184 WEITRON

获取价格

 		PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS

与2SB1182TLQ相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证