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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 15 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1184F5P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
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| 2SB1184F5Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
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| 2SB1184F5R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
|
| 2SB1184F5TLP | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1184F5TLPQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1184F5TLQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1184F5TLQR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1184F5TLR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1184P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252AA |
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| 2SB1184-P | MCC |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Transistors |
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