2SB1184-Q

更新时间： 2024-01-04 19:05:04

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美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	572K
描述
PNP Silicon Epitaxial Transistors

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2SB1184-Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.62
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	15 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	70 MHz	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

2SB1184-Q 数据手册

2SB1184-P

2SB1184-Q

2SB1184-R

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

PNP Silicon

Epitaxial Transistors

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Low Collector Saturation Voltage

Execllent current-to-gain characteristics

Maximum Thermal Resistance: 125^oC/W Junction to Ambient

DPAK

Maximum Ratings

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

-50

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-60

-5.0

-3.0

P_C

Collector power dissipation

1.0

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

150

T_STG

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

V_(BR)CBO

Collector-base Breakdown Voltage

(I_C=-50uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc, I_B=0)

Emitter-base Breakdown Voltage

(I_E=-50uAdc, I_C=0)

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=-40Vdc,I_E=0)

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=-4Vdc, I_C=0)

DC Current Gain

(I_C=-0.5Adc, V_CE=-3.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-2Adc, I_B=-200mAdc)

-60

---

Vdc

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-50

-5

---

Vdc

---

-1.0

uAdc

I_EBO

---

h_FE(1)

V_CE(sat)

f_T

---

390

-1.0

---

Vdc

MHz

PIN 1. BASE

PIN 2. COLLECTOR

PIN 3. EMITTER

---

DIMENSIONS

Transition Frequency

(V_CE=-5Vdc, I_C=-500mAdc,f=30MHz)

Collector output capacitance

(V_CB=-10Vdc, I_E=0,f=1.0MHz)

INCHES

MAX

C_ob

---

DIM

MIN

MAX

2.40

0.13

0.86

0.58

6.70

5.46

NOTE

0.087

0.000

0.026

0.018

0.256

0.201

0.094

0.005

0.034

0.023

0.264

0.215

2.20

0.00

0.66

0.46

6.50

5.10

ꢀ

0.190

4.83

0.236

0.086

0.386

0.244

0.094

0.409

6.00

2.18

9.80

6.20

2.39

10.40

CLASSIFICATION OF H^{FE (1)}

Rank

0.114

0.063

0.043

0.000

2.90

1.60

0.055

0.067

1.40

1.70

Range

82-180

120-270

180-390

0.051

0.012

1.10

0.00

1.30

0.30

0.211

5.35

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: A

2011/01/01

12 3 4

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