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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1184TLQ
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2SB1184TLQ

更新时间： 2024-09-25 11:56:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 159K
描述
Power Transistor (-60V, -3A)

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2SB1184TLQ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-63
包装说明：CPT3, SC-63, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.58
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Copper (Sn98Cu2)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：70 MHz
Base Number Matches：1

2SB1184TLQ 数据手册

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Power Transistor (-60V, -3A)  
2SB1184 / 2SB1243  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Low VCE(sat).  
2SB1184  
2SB1243  
VCE(sat) = -0.5V (Typ.)  
(IC/IB = -2A / -0.2A)  
2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864.  
2.5 0.2  
+0.2  
−0.1  
6.8 0.2  
2.3  
6.5 0.2  
C0.5  
+0.2  
5.1  
0.5 0.1  
−0.1  
Structure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
0.65Max.  
0.65 0.1  
0.75  
0.9  
0.55 0.1  
1.0 0.2  
0.5 0.1  
2.3 0.2 2.3 0.2  
(1) (2) (3)  
(1) (2)  
2.54  
(3)  
2.54  
1.05  
0.45 0.1  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
ROHM : ATV  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
−60  
−50  
−5  
Unit  
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
I
C
−3  
A (DC)  
W
1
15  
1
Collector power  
dissipation  
2SB1184  
2SB1243  
W (T =25°C)  
C
PC  
∗1  
W
Tj  
150  
°C  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to 150  
∗
1 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm2 or larger.  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
Unit  
Conditions  
−60  
−50  
−5  
−
I
I
I
C
= −50μA  
= −1mA  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
−
−
V
V
C
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
−
E
= −50μA  
CB= −40V  
EB= −4V  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVEBO  
−
−
V
−1  
−1  
−1  
390  
μA  
μA  
V
V
V
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
Emitter cutoff current  
I
−
−
IC/IB= −2A/ −0.2A  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
−
∗
∗
V
V
V
CE= −3V, I  
C
= −0.5A  
=0.5A, f=30MHz  
=0A, f=1MHz  
h
120  
−
−
CE= −5V, I  
E
f
T
−
−
70  
50  
−
−
MHz  
pF  
Transition frequency  
Output capacitance  
CB= −10V, I  
E
Cob  
∗
Measured using pulse current.  
www.rohm.com  
2010.02 - Rev.C  
1/3  
c
○ 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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2SB1184TLQ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SB1184TLR ROHM

类似代替

 Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.5V (Typ.)(IC/IB = -2A / -0.2A), Complements the 2SD1760 / 2SD18
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功能相似

 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1184TLR ROHM

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 		Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.5V (Typ.)(IC/IB = -2A / -0.2A), Complements the 2SD1760 / 2SD18
2SB1184TR/P ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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