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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1183
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2SB1183

更新时间： 2024-01-09 19:44:08
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
Darlington connection for high DC current gain.

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2SB1183 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.75
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：1000
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：10 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：1.5 V
Base Number Matches：1

2SB1183 数据手册

  
2SB1183 / 2SB1239  
Transistors  
Power transistor (−40V, −2A)  
2SB1183 / 2SB1239  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) Darlington connection for high DC current gain.  
2) Built-in 4kΩ resistor between base and emitter.  
3) Complements the 2SD1759 / 2SD1861.  
2SB1183  
5.5  
0.9  
1.5  
C0.5  
!Equivalent circuit  
0.8Min.  
1.5  
C
2.5  
9.5  
B
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
RBE 4kΩ  
C : Collector  
B : Base  
E
E : Emitter  
2SB1239  
2.5  
6.8  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
0.65Max.  
VCBO  
VCER  
VEBO  
−40  
−40  
−5  
V
V
0.5  
V
−2  
−3  
A(DC)  
(
)
( ) ( )  
2 3  
1
Collector current  
IC  
∗1  
∗2  
A(Pulse)  
2.54 2.54  
1.05  
Taping specifications  
(1) Emitter  
0.45  
1
W
2SB1183  
2SB1239  
Collector power  
dissipation  
P
C
10  
1
W(Tc=25°C)  
W
°C  
°C  
Junction temperature  
Tj  
150  
ROHM : ATV  
Storage temperature  
Tstg  
−55~+150  
(2) Collector  
(3) Base  
∗1 Single pulse Pw=10ms  
∗2 Printed circuit board 1.7 mm thick, collector plating 100mm2 or larger.  
!Packaging specifications and hFE  
Type  
Package  
2SB1183  
2SB1239  
CPT3  
1k~200k  
TL  
ATV  
1k~  
hFE  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
T146  
2500  
2500  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
−40  
−40  
−5  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
−
−
−
−
−
−
−
11  
−
−
−
BVCBO  
BVCER  
BVEBO  
I
I
I
C
=−50µA  
=−1mA, RBE=10kΩ  
V
C
V
E
=−50µA  
CB=−24V  
EB=−4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
−
−
−
−1  
−1  
−1.5  
20000  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
V
I
C/I  
B
=−0.6A/−1.2mA  
2SB1183  
2SB1239  
1000  
1000  
−
−
−
DC current  
h
FE  
V
V
CE/I  
C
=−2V/−0.5A  
transfer ratio  
Output capacitance  
Cob  
−
pF  
CB=−10V, I =0A, f=1MHz  
E
1

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2SB1183 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SB1183TL ROHM

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