2SB1183

更新时间： 2024-11-04 21:55:19

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	60K
描述
Darlington connection for high DC current gain.

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2SB1183 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	10 W
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	1.5 V
Base Number Matches：	1

2SB1183 数据手册

2SB1183 / 2SB1239

Transistors

Power transistor (−40V, −2A)

2SB1183 / 2SB1239

!External dimensions (Units : mm)

!Features

1) Darlington connection for high DC current gain.

2) Built-in 4kΩ resistor between base and emitter.

3) Complements the 2SD1759 / 2SD1861.

2SB1183

5.5

0.9

1.5

C0.5

!Equivalent circuit

0.8Min.

1.5

2.5

9.5

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

(1) Base(Gate)

(2) Collector(Drain)

(3) Emitter(Source)

RBE 4kΩ

C : Collector

B : Base

E : Emitter

2SB1239

2.5

6.8

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

Unit

0.65Max.

VCBO

VCER

VEBO

−40

−5

0.5

−2

−3

A(DC)

(

)

( ) ( )

2 3

Collector current

∗1

∗2

A(Pulse)

2.54 2.54

1.05

Taping specifications

(1) Emitter

0.45

2SB1183

2SB1239

Collector power

dissipation

W(Tc=25°C)

°C

Junction temperature

150

ROHM : ATV

Storage temperature

Tstg

−55~+150

(2) Collector

(3) Base

∗1 Single pulse Pw=10ms

∗2 Printed circuit board 1.7 mm thick, collector plating 100mm²or larger.

!Packaging specifications and h^FE

Type

Package

2SB1183

2SB1239

CPT3

1k~200k

ATV

1k~

hFE

Code

Basic ordering unit (pieces)

T146

2500

!Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

−40

−5

Typ.

Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

−

BV^CBO

BVCER

BVEBO

=−50µA

=−1mA, RBE=10kΩ

=−50µA

CB=−24V

EB=−4V

CBO

EBO

CE(sat)

−

−1

−1.5

20000

−

µA

Emitter cutoff current

Collector-emitter saturation voltage

C/I

=−0.6A/−1.2mA

2SB1183

2SB1239

1000

−

DC current

CE/I

=−2V/−0.5A

transfer ratio

Output capacitance

Cob

−

CB=−10V, I =0A, f=1MHz

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2SB1183 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SB1183TL	ROHM	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT3, SC-

与2SB1183相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1183F5	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-252
2SB1183F5TLA	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1183TL	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT3, SC-
2SB1183TR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1184	WEITRON	获取价格	PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS
2SB1184	KEXIN	获取价格	Power transistor
2SB1184	TYSEMI	获取价格	Low VCE(sat). PNP silicon transistor. Epitaxial planar type
2SB1184	ROHM	获取价格	Power Transistor (−60V, −3A)
2SB1184	CJ	获取价格	TO-252-2L
2SB1184	BL Galaxy Electrical	获取价格	50V,3A,Medium Power PNP Bipolar Transistor

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