2SB1184/QR

更新时间： 2024-11-25 13:04:11

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	90K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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2SB1184/QR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.62	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	15 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	70 MHz	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

2SB1184/QR 数据手册

2SB1184 / 2SB1243

Transistors

Power Transistor (−60V, −3A)

2SB1184 / 2SB1243

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low V^CE(sat).

2SB1184

2SB1243

V^CE(sat)= -0.5V (Typ.)

(I^C/IB = -2A / -0.2A)

2.5 0.2

6.8 0.2

+0.2

2.3

6.5 0.2

−0.1

C0.5

+0.2

5.1

0.5 0.1

−0.1

2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864.

0.65Max.

0.65 0.1

0.75

0.9

0.55 0.1

1.0 0.2

zStructure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

0.5 0.1

2.3 0.2 2.3 0.2

(1) (2) (3)

(1) (2)

2.54

(3)

2.54

1.05

0.45 0.1

(1) Base

(1) Emitter

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : ATV

(2) Collector

(3) Base

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CBO

CEO

EBO

−60

−50

−5

−3

A (DC)

Collector power

dissipation

2SB1184

2SB1243

W (TC=25°C)

∗1

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

−55 to 150

∗

1 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm²or larger.

Rev.A

1/3

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1184/R	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1184_1	ROHM	获取价格	Power Transistor (−60V, −3A)
2SB1184_10	ROHM	获取价格	Power Transistor (-60V, -3A)
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