Datasheet > 2SB1184

2SB1184

更新时间： 2024-01-01 01:33:09

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	63K
描述
Low VCE(sat). PNP silicon transistor. Epitaxial planar type

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1184 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.62
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	15 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	70 MHz	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

2SB1184 数据手册

Product specification

2SB1184

TO-252

Unit: mm

Features

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Low V^CE(sat).

PNP silicon transistor.

Epitaxial planar type

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

-60

-50

-5

Collector current

-3

P^C

Collector power dissipation(Tc=25

Junction temperature

)

150

Storage temperature

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

-60

-50

-5

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

BVCBO IC=-50ìA

BV^CEOI^C=-1mA

BV^EBOI^E=-50ìA

I^CBO

I^EBO

V^CE(sat)I^C= -2A, I^B= -0.2A

VCB=-40V

-1

ìA

Emitter cutoff current

V^EB=-4V

Collector-emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

-1

h^FE

f^T

V^CE= -3V, I^C= -0.5A

390

Output capacitance

VCE= -5V, IE=0.5A, f=30MHz

V^CB= -10V,I^E=0A,f=1MHz

MHz

Transition frequency

C^ob

hFE Classification

Rank

hFE

82 180

120 270

180 390

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

中文翻译

下载PDF

与2SB1184相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1184/P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1184/PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1184/PR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1184/Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1184/QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1184/R	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1184_1	ROHM	获取价格	Power Transistor (−60V, −3A)
2SB1184_10	ROHM	获取价格	Power Transistor (-60V, -3A)
2SB1184F5	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-252VAR
2SB1184F5/PR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

与2SB1184相关文章

LM317T数据手册解读：产品特性、应用、封装与引脚详解
2024-06-14

15
一文带你了解?DB3二极管好坏判断、参数信息、替代推荐
2024-06-14

18
LM358DR数据手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
2024-06-14

11
OP07CP数据手册解读：引脚信息、电子参数
2024-06-14

17

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1184

2SB1184 技术参数

2SB1184 数据手册

与2SB1184相关器件

与2SB1184相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1184

2SB1184 技术参数

2SB1184 数据手册

与2SB1184相关器件

与2SB1184相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？