2SB1182TLR

更新时间： 2024-02-14 13:52:16

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	116K
描述
Medium power transistor (32V,2A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1182TLR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	10 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB1182TLR 数据手册

Medium power transistor (32V, 2A)

2SB1182 / 2SB1240

Features

Dimensions (Unit : mm)

1) Low V^CE(sat).

2SB1182

2SB1240

V^CE(sat)= 0.5V (Typ.)

(I^C/IB = 2A / 0.2A)

2) Complements 2SD1758 / 2SD1862.

2.5 0.2

6.8 0.2

+0.2

2.3

6.5 0.2

−

0.1

C0.5

+0.2

5.1

0.5 0.1

−

0.1

0.65Max.

0.65 0.1

0.75

Structure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

0.9

0.5 0.1

0.55 0.1

1.0 0.2

2.3 0.2 2.3 0.2

(1) (2)

(3)

2.54

1.05

0.45 0.1

(1) (2) (3)

(1) Base

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : ATV

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

−40

−32

−5

−2

A(DC)

A (Pulse)

Collector current

−3

∗

W (Tc=25°C

)

2SB1182

2SB1240

Collector power

dissipation

∗

Junction temperature

Storage temperature

1 Single pulse, Pw=100ms

150

°C

Tstg

−55 to 150

∗

2 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm²or larger.

Electrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Symbol Min.

Typ.

−

Max.

−

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

BV^CBO

BVCEO

BVEBO

−40

−32

−5

−

= −50μA

−

= −1mA

= −50μA

−

CBO

EBO

CE(sat)

−

−1

−0.8

390

−

CB= −20V

EB= −4V

Emitter cutoff current

−

Collector-emitter saturation voltage

−

/I = −2A/ −0.2A

−0.5

−

∗

DC current transfer ratio

Transition frequency

Output capacitance

120

−

CE= −3V, I

= −0.5A

=0.5A, f=100MHz

=0A, f=1MHz

100

MHz

CE= −5V, I

Cob

−

CB= −10V, I

Measured using pulse current.

∗

www.rohm.com

2010.04 - Rev.C

1/3

12 3 4

中文翻译

下载PDF

2SB1182TLR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2DB1182Q-13	DIODES	功能相似	32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252

与2SB1182TLR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1182TR/P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1182TR/PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1182TR/PR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1183	ROHM	获取价格	Darlington connection for high DC current gain.
2SB1183F5	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-252
2SB1183F5TLA	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1183TL	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT3, SC-
2SB1183TR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1184	WEITRON	获取价格	PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS
2SB1184	KEXIN	获取价格	Power transistor

与2SB1182TLR相关文章

LM317T数据手册解读：产品特性、应用、封装与引脚详解
2024-06-14

15
一文带你了解?DB3二极管好坏判断、参数信息、替代推荐
2024-06-14

18
LM358DR数据手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
2024-06-14

11
OP07CP数据手册解读：引脚信息、电子参数
2024-06-14

17

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1182TLR

2SB1182TLR 技术参数

2SB1182TLR 数据手册

2SB1182TLR 替代型号

与2SB1182TLR相关器件

与2SB1182TLR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1182TLR

2SB1182TLR 技术参数

2SB1182TLR 数据手册

2SB1182TLR 替代型号

与2SB1182TLR相关器件

与2SB1182TLR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？