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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1183 | ROHM |
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Darlington connection for high DC current gain. |
|
| 2SB1183F5 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
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| 2SB1183F5TLA | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1183TL | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT3, SC- |
|
| 2SB1183TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1184 | WEITRON |
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PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS |
|
| 2SB1184 | KEXIN |
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Power transistor |
|
| 2SB1184 | TYSEMI |
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Low VCE(sat). PNP silicon transistor. Epitaxial planar type |
|
| 2SB1184 | ROHM |
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Power Transistor (−60V, −3A) |
|
| 2SB1184 | CJ |
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TO-252-2L |
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