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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-63 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.27 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1182TL/R | ROHM |
获取价格 |
2000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CPT3, SC-63, 3 PIN |
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| 2SB1182TLQ | ROHM |
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Power Transistor (â80V, â1A) |
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| 2SB1182TLR | ROHM |
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Medium power transistor (32V,2A) |
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| 2SB1182TR/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1182TR/PQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1182TR/PR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1183 | ROHM |
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Darlington connection for high DC current gain. |
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| 2SB1183F5 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
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| 2SB1183F5TLA | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1183TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT3, SC- |
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