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2SB1178

更新时间: 2024-11-20 20:20:51
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松下 - PANASONIC 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 169K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

2SB1178 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.71
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):1000
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SB1178 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1178A PANASONIC

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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR
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2SB1179 PANASONIC

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For Power Amplification And Switching