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2SB1178A

更新时间: 2024-02-21 03:42:11
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松下 - PANASONIC 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 169K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

2SB1178A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.71
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):1000JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SB1178A 数据手册

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