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2SB1094-K-AZ

更新时间： 2024-02-08 23:34:47

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瑞萨 - RENESAS		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	120K
描述
3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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2SB1094-K-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.23
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1094-K-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SB1094

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

• The 2SB1094 features ratings covering a wide range of

applications and is ideal for power supplies or a variety of drives

in audio and other equipment.:

V^CEO≥ −60 V, V^EBO≥ −7.0 V, I^C(DC)≤ −3.0 A

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

• Complementary transistor with 2SD1585

QUALITY GRADES

• Standard

Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor Devices”

(Document No. C11531E) published by NEC Corporation to know

the specification of quality grade on the devices and its

recommended applications.

Electrode Connection

1. Base

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

2. Collector

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

−60

Unit

3. Emitter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

−60

V^CEO

−7.0

V^EBO

−3.0

I^C(DC)

−5.0

I^C(pulse)*

I^B(DC)

−0.6

P^T(Tc = 25°C)

P^T(Ta = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

2.0

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16186EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

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与2SB1094-K-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1094L	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SB1094-L	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1094-L-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1094M	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SB1094-M	RENESAS	获取价格	3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1094-M-AZ	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1096	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1096	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1096	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1096_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors

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