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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.23 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1094-M-AZ | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1096 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1096 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1096 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1096_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1096_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1096K | ISC |
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Transistor |
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| 2SB1096L | ISC |
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Transistor |
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| 2SB1096M | ISC |
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Transistor |
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| 2SB1097 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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