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2SB1098

更新时间： 2024-11-24 06:16:15

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
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3页	48K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1098 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1098

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·Complement to type 2SD1589

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·Low speed switching industrial use

·Low frequency power amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

MAX

-100

-7

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-5

I_CM

Collector current-peak

Base current

-8

I_B

-0.5

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

12 3

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