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2SB1102

更新时间： 2024-11-24 20:15:11

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
4页	38K
描述
4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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2SB1102 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.46	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SB1102 数据手册

2SB1101, 2SB1102

Silicon PNP Triple Diffused

Application

Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1601, 2SD1602

Outline

TO-220AB

1. Base

2. Collector

I_D

(Flange)

3. Emitter

4.5 kΩ

(Typ)

500 Ω

(Typ)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

Ratings

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SB1101

2SB1102

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–60

–80

–60

–80

–7

–4

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

C to E diode forward current

Note: 1. Value at T_C= 25 C.

I_C(peak)

P_C*¹

–8

150

Tstg

I_D*¹

–55 to +150

12 3 4

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