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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1110B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SB1110C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SB1110D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SB1114 | NEC |
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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
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| 2SB1114 | KEXIN |
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PNP Silicon Epitaxial Transistor |
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| 2SB1114 | TYSEMI |
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World standard miniature package. High DC current gain hFE=135 to 600. |
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| 2SB1114_15 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SB1114-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
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| 2SB1114-AZ | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1114-HF_15 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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