2SB1106

更新时间： 2024-11-16 06:18:27

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1106 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SB1106 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1105

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·DARLINGTON

·High DC durrent gain

·Complement to type 2SD1605

APPLICATIONS

·Designed for use in low frequency

power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

CONDITIONS

VALUE

-120

-7

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-3

T_C=25℃

P_C

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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