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2SB1109D

更新时间： 2024-09-28 23:20:03

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其他 - ETC		晶体晶体管
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5页	38K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 160V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-126

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2SB1109D 数据手册

2SB1109, 2SB1110

Silicon PNP Epitaxial

Application

Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SD1609 and 2SD1610

Outline

TO-126 MOD

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Ratings

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SB1109

–160

2SB1110

–200

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–160

–200

–5

–100

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

1.25

150

°C

Tstg

–45 to +150

12 3 4 5

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