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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1109B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SB1109C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SB1109D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SB1110 | HITACHI |
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SILICON PNP EPITAXIAL (LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER) |
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| 2SB1110B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SB1110C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SB1110D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
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| 2SB1114 | NEC |
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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
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| 2SB1114 | KEXIN |
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PNP Silicon Epitaxial Transistor |
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| 2SB1114 | TYSEMI |
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World standard miniature package. High DC current gain hFE=135 to 600. |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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