Datasheet > 2SB1102

2SB1102

更新时间： 2024-09-29 06:16:19

品牌	Logo	应用领域
锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	44K
描述
Silicon PNP Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1102 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1102

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SD1602

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·For low frequency power amplifier

applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-80

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

-80

Open collector

-7

-4

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-8

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SB1102相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1102_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1102_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1103	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1103	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1103	HITACHI	获取价格	Silicon PNP Triple Diffused
2SB1103	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1103	RENESAS	获取价格	Silicon PNP Triple Diffused
2SB1103_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1103_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1104	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-220AB