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2SB1096_2014

更新时间： 2024-11-21 01:20:03

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锦美电子 - JMNIC		/
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3页	168K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1096_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1096

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High breakdown voltage

·Complement to type 2SD1587

APPLICATIONS

·For TV vertical output applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector -emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-200

-150

-5

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-2

T_a=25℃

T_C=25℃

2.0

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55~150

12 3

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