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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.37 | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1097L | ISC |
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暂无描述 |
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| 2SB1097-L | RENESAS |
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7A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1097-L | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1097M | ISC |
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Transistor |
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| 2SB1097-M | RENESAS |
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7A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1097M-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,7A I(C),TO-220VAR |
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| 2SB1098 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1098 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1098 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1098_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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