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2SB1097-L

更新时间： 2024-09-28 14:47:15

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	135K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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2SB1097-L 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.37
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SB1097-L 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SB1097

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

• Large current capacity in small dimension: I^C(DC)= 7 A

• Low collector saturation voltage: V^CE(sat)= −0.5 V MAX. (@ −5 A)

• Ideal for use in lamp drivers or inductance drivers

• Complementary transistor: 2SD1588

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

−80

−60

−7.0

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

−15

−3.5

I^C(pulse)*

I^B(DC)

Electrode Connection

1. Base

P^T(Tc = 25°C)

P^T(Ta = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

2.0

2. Collector

3. Emitter

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 10%

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= −60 V, I^E= 0

V^EB= −5.0 V, I^C= 0

V^CE= −1.0 V, I^C= −3 A

V^CE= −1.0 V, I^C= −5 A

I^C= −5 A, I^B= −0.5 A

MIN.

TYP.

MAX.

−10

Unit

µA

I^EBO

h^FE1**

h^FE2**

V^CE(sat)**

V^BE(sat)**

200

DC current gain

−0.5

−1.5

Collector saturation voltage

Base saturation voltage

** Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2%/pulsed

h^FECLASSIFICATION

Marking

h^FE1

40 to 80

60 to 120

100 to 200

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16127EJ1V0DS00

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1097M	ISC	获取价格	Transistor
2SB1097-M	RENESAS	获取价格	7A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1097M-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,7A I(C),TO-220VAR
2SB1098	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1098	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1098	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1098_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1098_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
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