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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1097M | ISC |
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Transistor |
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| 2SB1097-M | RENESAS |
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7A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1097M-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,7A I(C),TO-220VAR |
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| 2SB1098 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1098 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1098 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1098_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1098_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1098O | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SB1098R | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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