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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.6 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-609代码： | e0 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1007/P | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SB1007/PQ | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SB1007/PR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SB1007/Q | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SB1007/QR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SB1007/R | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SB1007_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1007_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1007P | ISC |
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暂无描述 |
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| 2SB1007Q | ISC |
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Transistor |
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