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2SB1007_2014

更新时间： 2024-09-19 01:19:15

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1007_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1007

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SD1378

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·Low frequency power amplification

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-80

UNIT

Open base

-80

Open collector

-5

Collector current (DC)

-0.7

1.2

T_a=25℃

T_C=25℃

P_D

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55~150

12 3

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