2SB1007R

更新时间： 2024-11-10 13:04:11

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	81K
描述
Transistor

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2SB1007R 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SB1007R 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB1007

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -80V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SD1378

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

-80

-5

Collector Current-Continuous

-0.7

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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2SB1009	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1009	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1009	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1009/PQ	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
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