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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.76 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A | 基于收集器的最大容量： | 20 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1007/R | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SB1007_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1007_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1007P | ISC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SB1007Q | ISC |
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Transistor |
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| 2SB1007R | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SB1008 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
|
| 2SB1009 | ROHM |
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Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor |
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| 2SB1009 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1009 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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