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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.65 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 290 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA2016L-TN3-T | UTC |
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Power Bipolar Transistor |
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| 2SA2016-TD-E | ONSEMI |
获取价格 |
DC / DC Converter Applications |
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| 2SA2017 | ETC |
获取价格 |
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| 2SA2017E | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SA2018 | KEXIN |
获取价格 |
Low Frequency Transistor |
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| 2SA2018 | TYSEMI |
获取价格 |
A collector current is large Collector saturation voltage is low. VCE(sat) 250mA |
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| 2SA2018 | ROHM |
获取价格 |
Low frequency transistor |
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| 2SA2018 | WEITRON |
获取价格 |
PNP Genera Purpose Transistors |
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| 2SA2018 | CJ |
获取价格 |
SOT-523 |
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| 2SA2018 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
12V,0.5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
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