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2SA2018

更新时间： 2024-01-03 01:03:49
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 82K
描述
Low frequency transistor

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2SA2018 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-75A
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.7最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：260 MHzBase Number Matches：1

2SA2018 数据手册

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2SA2018 / 2SA2030 / 2SA2119K  
Transistors  
Low frequency transistor  
2SA2018 / 2SA2030 / 2SA2119K  
The transistor of 500mA class which went only into 2125 size conventionally was attained in 1608 sizes or 1208 sizes.  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplications  
For switching, for muting.  
(
)
1
2SA2018  
(
)
2
(
)
3
0.8  
1.6  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) Collector saturation voltage is low.  
VCE (sat) ≤ 250mA  
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : BW  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
ROHM : EMT3  
EIAJ : SC-75A  
JEDEC : SOT-416  
At IC = 200mA / IB = 10mA  
2SA2030  
1.2  
0.2 0.8 0.2  
(
)
2
(3)  
(
)
1
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : BW  
(1) Base  
ROHM : VMT3  
(2) Emitter  
(3) Collector  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Limits  
15  
Unit  
V
2SA2119K  
12  
V
500  
1
mA  
A
Collector current  
1.6  
ICP  
2.8  
VMT3  
150  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
EMT3  
SMT3  
mW  
0.3Min.  
Each lead has same dimensions  
300  
150  
Tj  
Tstg  
°C  
°C  
Abbreviated symbol : BW  
(1) Emitter  
(2) Base  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
Storage temperature  
−55 to +150  
(3) Collector  
JEDEC : SOT-346  
Single pulse, Pw=1ms  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
15  
12  
6
−
−
−
−
−
−
−
−
V
V
V
IC=10µA  
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
IC=1mA  
IE=10µA  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVEBO  
ICBO  
−
100 nA  
680  
VCB=15V  
DC current transfer ratio  
hFE  
270  
−
−
VCE=2V / IC=10mA  
Collector-emitter saturation voltage VCE (sat)  
100 250 mV IC=200mA / IB=10mA  
Transition frequency  
Output capacitance  
fT  
−
260  
6.5  
−
−
MHz  
pF  
V
CE=2V, IE=10mA, fT=100MHz  
CB=10V, IE=0A, f=1MHz  
Cob  
−
V
Rev.A 1/2  
123

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