5秒后页面跳转
2SA1987R(Q) PDF预览

2SA1987R(Q)

更新时间: 2024-01-25 20:10:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
2页 153K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,230V V(BR)CEO,15A I(C),TO-264AA

2SA1987R(Q) 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.61最大集电极电流 (IC):15 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):55
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):180 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NOBase Number Matches:1

2SA1987R(Q) 数据手册

 浏览型号2SA1987R(Q)的Datasheet PDF文件第2页 

与2SA1987R(Q)相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA1988 SAVANTIC Silicon PNP Power Transistors

获取价格

2SA1988 JMNIC Silicon PNP Power Transistors

获取价格

2SA1988 ISC Silicon PNP Power Transistors

获取价格

2SA1988 NEC PNP SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE

获取价格

2SA1989 ISAHAYA FORLOW FERQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE

获取价格

2SA1989_10 ISAHAYA FORLOW FERQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE

获取价格