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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.61 | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 55 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1988 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1988 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1988 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1988 | NEC |
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PNP SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE |
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| 2SA1989 | ISAHAYA |
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FORLOW FERQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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| 2SA1989_10 | ISAHAYA |
获取价格 |
FORLOW FERQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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| 2SA1989R | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SA1989S | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SA1993 | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1993 | ISAHAYA |
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FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE MICRO |
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