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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 2.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 270 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 0.45 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.45 W | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1998 | ISAHAYA |
获取价格 |
FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE MICRO(FRAME TYPE) |
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| 2SA200 | SWST |
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小信号晶体管 |
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| 2SA2002 | ISAHAYA |
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FOR HIGH CURRENT APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE MICRO(FRAME TYPE) |
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| 2SA2004 | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planer type |
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| 2SA2005 | ROHM |
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For Audio Amplifier output - TV Velosity Modulation (-160V,-1.5A) |
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| 2SA2007 | ROHM |
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High-speed Switching Transistor (−60V,−12A) |
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| 2SA2007F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220FN |
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| 2SA2009 | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planer type |
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| 2SA2009G | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS |
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| 2SA2009GR | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS |
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