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2SA2007

更新时间： 2024-11-18 06:24:19
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罗姆 - ROHM 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
High-speed Switching Transistor (−60V,−12A)

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2SA2007 数据手册

  
2SA2007  
Transistors  
High-speed Switching Transistor (−60V,−12A)  
2SA2007  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) High switching speed.  
(Typ. tf = 0.15µs at Ic = −6A)  
2) Low saturation voltage.  
10.0  
4.5  
2.8  
3.2  
φ
CE(sat)  
(Typ. V  
C
B
= −0.2V at I / I = −6A / −0.3A)  
3) Wide SOA. (safe operating area)  
4) Complements the 2SC5526.  
1.2  
1.3  
0.8  
(
)
(1) Base Gate  
0.75  
2.54  
2.54  
)
2.6  
(
) (  
) (  
)
1
2
(
3
(
)
)
(2) Collector Drain  
(
(3) Emitter Source  
(
)
(
3
)
1
2
ROHM : TO-220FN  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−100  
−60  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
−5  
V
−12  
−20  
A
I
C
Collector current  
A(Pulse)  
2
W
P
C
Collectorpowerdissipation  
25  
W(Tc=25°C)  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 ∼ +150  
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SA2007  
Package  
TO-220FN  
hFE  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
F
−
500  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Typ.  
Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
−
−
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
I
I
I
V
V
I
I
I
I
V
V
V
C
C
E
=
=
=
−50µA  
−1mA  
−50µA  
−100  
−60  
−5  
−
−
−
−
−
−
160  
−
V
V
V
µA  
µA  
V
V
V
V
−
I
CBO  
−10  
−10  
−0.3  
−0.5  
−1.2  
−1.5  
320  
−
CB  
=
−100V  
I
EBO  
Emitter cutoff current  
EB  
=
−5V  
C
/I  
/I  
/I  
/I  
B
=
−6A/−0.3A  
−8A/−0.4A  
−6A/−0.3A  
−8A/−0.4A  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
C
C
C
B
B
B
=
=
=
V
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
Output capacitance  
Turn-on time  
CE  
CE  
CB  
=
−2V , I  
C
=
−2A  
hFE  
f
T
MHz  
pF  
80  
=
=
−10V , I  
−10V , I  
E
= 1A , f  
=
=
30MHz  
1MHz  
−
Cob  
−
−
−
E
=
0A , f  
250  
−
−
µs  
I
I
C
=
=
−6A , RL = 5Ω  
ton  
tstg  
0.3  
1.5  
µs  
µs  
B1  
−IB2  
= −0.3A  
Storage time  
−
−
V
CC −30V  
Fall time  
tf  
0.3  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA2007F ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220FN
2SA2009 PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planer type
2SA2009G PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS
2SA2009GR PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS
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