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2SA2012

更新时间： 2024-02-16 06:03:16
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 转换器
页数 文件大小 规格书
5页 52K
描述
DC/DC Converter Applications

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2SA2012 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SC-62, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：5 weeks风险等级：1.52
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JEDEC-95代码：TO-243JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：3.5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：350 MHz
Base Number Matches：1

2SA2012 数据手册

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Ordering number:ENN6306  
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
2SA2012/2SC5565  
DC/DC Converter Applications  
Applications  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes.  
2038A  
Features  
[2SA2012/2SC5565]  
4.5  
1.6  
· Adoption of MBIT processes.  
· Large current capacitance.  
1.5  
· Low collector-to-emitter saturation voltage.  
· Ultrasmall-sized package permitting applied sets to  
be made small and slim.  
· High allowable power dissipation.  
0.4  
0.5  
3
2
1
0.4  
1.5  
3.0  
1 : Base  
0.75  
2 : Collector  
3 : Emitter  
Specifications  
( ) : 2SA2012  
SANYO : PCP  
(Bottom view)  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
(–30)40  
Unit  
V
V
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
(–)30  
(–)5  
V
V
CEO  
V
EBO  
I
(–)5  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
I
(–)8  
A
CP  
I
(–)600  
1.3  
mA  
W
W
˚C  
˚C  
B
Mounted on a ceramic board (250mm2×0.8mm)  
Collector Dissipation  
P
C
Tc=25˚C  
3.5  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
typ  
max  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
=(–)30V, I =0  
E
=(–)4V, I =0  
C
=(–)2V, I =(–)500mA  
C
(–)0.1  
(–)0.1  
560  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
EBO  
h
200  
FE  
(350)  
420  
MHz  
MHz  
pF  
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
V
=(–)10V, I =(–)500mA  
C
T
CE  
Cob  
V
=(–)10V, f=1MHz  
(30)20  
CB  
Continued on next page.  
Marking : 2SA2012 : AS 2SC5565 : FB  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
21400TS (KOTO) TA-2520 No.6306–1/5  
12345

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