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2SA1988

更新时间： 2024-11-17 22:52:39
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE

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2SA1988 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：MP-88, TO-3P, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：200 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

2SA1988 数据手册

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DATA SHEET  
Silicon Power Transistor  
2SA1988  
PNP SILICON TRANSISTOR  
POWER AMPLIFIER  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
The 2SA1988 is PNP Silicon Power Transistor that  
designed for audio frequency power amplifier.  
PACKAGE DIMENSIONS  
4.7 MAX.  
15.7 MAX. φ 3.2±0.2  
1.5  
FEATURES  
4
•
•
•
High Voltage VCEO = −200 V  
DC Current Gain hFE = 70 to 200  
TO-3P Package  
1
2
3
ORDERING INFORMATION  
Type Number  
Package  
2SA1988  
MP-88  
2.2±0.2  
5.45  
1.0±0.2 0.6±0.1  
2.8±0.1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
5.45  
1.Base  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (pulse)  
Total Power Dissipantion  
JunctionTemperature  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC (DC)  
IC (pulse) *1  
P2 *2  
TJ  
−200  
−200  
V
V
2.Collector  
3.Emitter  
−5.0  
V
4.Fin (Collector)  
MP-88  
−7.0  
A
-10  
A
100  
W
°C  
°C  
150  
Storage Tempreature  
Tstg  
−55 to +150  
*2 TC = 25 °C  
*1 PW ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 10 %  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
SYMBOL  
ICBO  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
−50  
UNIT  
µA  
µA  
−
TEST CONDITIONS  
VCB = −200 V, IE = 0  
IEBO  
−50  
VEB = −3.0 V, IC = 0  
hFE1  
70  
20  
200  
VCE = −5.0 V, IC = −1.0 A  
VCE = −5.0 V, IC = −3.5 A  
IC = −5.0 V, IE = −0.5 V  
IC = −5.0 V, IE = −0.5 V  
VCE = −5.0 V, IC = 1.0 mA  
VCB = −10 V, IC = 0, f = 1.0 MHz  
DC Current Gain  
hFE2  
−
Collector Saturation Voltage  
Base Saturation Voltage  
Gain Band width Product  
Output Capacitance  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
fT  
−0.6  
−1.3  
40  
−2.0  
−2.0  
V
V
MHz  
pF  
Cob  
270  
Pulse Test PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2 %  
The information in this document is subject to change without notice.  
Document No. D11176EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published May 1996 P  
Printed in Japan  
1996  
©
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1989 ISAHAYA

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