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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 2.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 0.45 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.45 W | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1995R | ISAHAYA | Transistor |
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| 2SA1995S | ISAHAYA | Transistor |
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| 2SA1998 | ISAHAYA | FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE MICRO(FRAME TYPE) |
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| 2SA200 | SWST | 小信号晶体管 |
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| 2SA2002 | ISAHAYA | FOR HIGH CURRENT APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE MICRO(FRAME TYPE) |
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| 2SA2004 | PANASONIC | Silicon PNP epitaxial planer type |
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