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2SA2004

更新时间： 2024-11-17 22:35:55

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松下 - PANASONIC		/
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Silicon PNP epitaxial planer type

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2SA2004 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SA2004 数据手册

Power Transistors

2SA2004

Silicon PNP epitaxial planer type

Unit: mm

For power amplification

4.6 0.2

9.9 0.3

2.9 0.2

I Features

φ 3.2 0.1

• High forward current transfer ratio h_FE

• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

• Dielectric breakdown voltage of the package: > 5 kV

• High-speed switching

1.4 0.2

1.6 0.2

2.6 0.1

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.8 0.1

0.55 0.15

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

Unit

2.54 0.30

5.08 0.50

−60

1: Base

2: Collector

3: Emitter

−5

−16

TO-220D Package

I_C

−8

T_C= 25°C

T_a= 25°C

P_C

Collector power

dissipation

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

I_CEO

V_CEO

h_FE1

Conditions

Min

Typ

Max

−100

Unit

µA

Collector cutoff current

V_CB= −60 V, I_E= 0

V_CE= −60 V, I_E= 0

Collector to emitter voltage

Forward current transfer ratio

I_C= −10 mA, I_B= 0

−60

100

V_CE= −2 V, I_C= − 0.1 A

V_CE= −2 V, I_C= −5 A

I_C= −5 A, I_B= − 0.25 A

I_C= −5 A, I_C= − 0.25 A

I_C= −4 A, I_B1= −400 mA

I_B2= 400 mA, V_CC= 50 V

230

h_FE2

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

Turn-on time

V_CE(sat)

V_BE(sat)

t_on

−1.2

−1.7

0.5

0.2

0.1

0.5

µs

Storage time

t_stg

0.15

1.0

Fall time

t_f

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2SA2009GR	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS
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2SA2009G-S	PANASONIC	获取价格	20mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
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