2SA1871-AZ

更新时间： 2024-11-24 13:00:31

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管高压
页数	文件大小	规格书
6页	117K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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2SA1871-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1871-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SA1871

PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SA1871 is a transistor developed for high-speed high-

voltage switching and is ideal for use in switching elements such

as switching regulators and DC/DC converters.

FEATURES

•

New package with dimensions in between those of small signal

and power signal package

•

High voltage

Fast switching speed

Complementary transistor with 2SC4942

QUALITY GRADES

Electrode connection

1: Emitter

• Standard

Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor Devices”

(Document No. C11531E) published by NEC Corporation to

know the specification of quality grade on the devices and its

recommended applications.

2: Collector

3: Base

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)

P^T

Conditions

Ratings

−600

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−600

−7.0

−1.0

PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %

7.5 cm²× 0.7 mm ceramic board used

−2.0

2.0

°C

T^j

150

−55 to +150

T^stg

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16144EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1871GA1	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 600V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-243VAR
2SA1871-GA1	RENESAS	获取价格	1A, 600V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1871-GA1	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1871-GA1-AZ	NEC	获取价格	1A, 600V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1871GA1-T1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-243VAR
2SA1871GA1-T2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-243VAR
2SA1871GA2	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 600V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-243VAR
2SA1871-GA2	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1871-GA2-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1871GA2-T1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-243VAR

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