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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.24 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1871-GA1-AZ | NEC |
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1A, 600V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SA1871GA1-T1-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-243VAR |
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| 2SA1871GA1-T2-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-243VAR |
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| 2SA1871GA2 | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243VAR |
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| 2SA1871-GA2 | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SA1871-GA2-AZ | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SA1871GA2-T1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-243VAR |
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| 2SA1871GA2-T2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-243VAR |
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| 2SA1871GA3 | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243VAR |
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| 2SA1871-GA3 | RENESAS |
获取价格 |
1A, 600V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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