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2SA1875

更新时间： 2024-01-11 10:07:42

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科信 - KEXIN		晶体开关晶体管高压
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2页	42K
描述
High-voltage Switching Transistor

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2SA1875 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	400 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1875 数据手册

SMD Type

Transistors

High-voltage Switching Transistor

2SA1875

TO-252

Unit: mm

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Features

High fT : fT=400MHz(typ).

High breakdown voltage : VCEO 200V(min).

Large current capacitance.

Adoption of FBET process.

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-to-Base Voltage

Collector-to-Emitter Voltage

Emitter-to-Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-200

-3

Unit

-300

-600

-30

Collector Current (Pulse)

Base Current

I^CP

I^B

Collector Dissipation

T^c=25

0.8

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

Tstg

-55 to 150

www.kexin.com.cn

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