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2SA1877

更新时间: 2024-09-20 22:52:39
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新电元 - SHINDENGEN 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 383K
描述
Switching Power Transistor(-5A PNP)

2SA1877 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:EPACK-3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.89其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):70JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:10 W最大功率耗散 (Abs):10 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
最大关闭时间(toff):1700 ns最大开启时间(吨):300 ns
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

2SA1877 数据手册

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SHINDENGEN  
Switching Power Transistor  
HSV Series  
OUTLINE DIMENSIONS  
Case : E-pack  
2SA1877  
Unit : mm  
(TE5T8)  
-5A PNP  
RATINGS  
Absolute Maximum Ratings  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
Storage Temperature  
Tstg  
Tj  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-55~150  
150  
V
V
V
Junction Temperature  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current DC  
-80  
-80  
-7  
-5  
A
Collector Current Peak  
Base Current DC  
ICP  
IB  
-10  
-1.5  
A
A
Base Current Peak  
IBP  
PT  
-2  
A
Total Transistor Dissipation  
Tc = 25  
10  
W
Electrical Characteristics (Tc=25)  
Item  
Symbol  
Conditions  
IC = -0.05A  
Ratings  
Min -80  
Max -0.1  
Max -0.1  
Max -0.1  
Min 70  
Unit  
V
Collector to Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cutoff Current  
VCEO(sus)  
ICBO  
At rated Voltage  
mA  
ICEO  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
IEBO  
At rated Voltage  
VCE = -2V, IC =-2.5A  
IC = -2.5A  
mA  
hFE  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Base to Emitter Saturation Voltage  
Thermal Resistance  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
θjc  
Max -0.3  
Max -1.2  
Max 12.5 /W  
TYP 50  
Max 0.3  
V
V
IB = -0.25A  
Junction to case  
VCE = -10V, IC = -0.5A  
Transition Frequency  
fT  
ton  
MHz  
Turn on Time  
IC = -2.5A  
Storage Time  
Fall Time  
ts  
tf  
IB1 = -0.25A, IB2 = -0.25A  
RL = 12Ω, VBB2 = -4V  
Max 1.5  
μs  
Max 0.2  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  

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