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2SA1880

更新时间： 2024-02-03 03:18:02

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	42K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1880 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	ITO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.85
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	25 W
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	最大关闭时间（toff）：	1700 ns
最大开启时间（吨）：	300 ns	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

2SA1880 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1880

DESCRIPTION

·With ITO-220 package

·Switching power transistor

·Low collector saturation voltage

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (ITO-220) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-80

UNIT

Open base

-80

Open collector

-7

-10

I_CM

Collector current-Peak

Base current

-20

I_B

-1.5

-2

I_BM

Base current-Peak

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction case

5.0

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SA1881-5	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-236	获取价格
2SA1881-6	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-236	获取价格
2SA1881-7	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-236	获取价格
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