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2SA1880

更新时间: 2024-02-05 13:14:25
品牌 Logo 应用领域
锦美电子 - JMNIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 42K
描述
Silicon PNP Power Transistors

2SA1880 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:ITO-220, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.85
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):70
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:2元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:25 W
最大功率耗散 (Abs):25 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHz最大关闭时间(toff):1700 ns
最大开启时间(吨):300 nsVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

2SA1880 数据手册

 浏览型号2SA1880的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA1880的Datasheet PDF文件第3页 
JMnic  
Product Specification  
Silicon PNP Power Transistors  
2SA1880  
CHARACTERISTICS  
Tj=25unless otherwise specified  
SYMBOL  
VCEO(SUS)  
VCEsat  
VBEsat  
ICBO  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
TYP.  
MAX  
UNIT  
Collector-emitter sustaining voltage IC=-0.1A ;IB=0  
Collector-emitter saturation voltage IC=-5A; IB=-0.5A  
-80  
V
V
V
-0.3  
-1.2  
Base-emitter saturation voltage  
Collector cut-off current  
IC=-5A; IB=-0.5A  
At rated volatge  
-0.1  
-0.1  
mA  
mA  
ICEO  
IEBO  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
At rated volatge  
IC=-5A ; VCE=-2V  
IC=-1A ; VCE=-10V  
hFE  
70  
fT  
Transition frequency  
50  
MHz  
Switching times  
ton  
Turn-on time  
0.3  
1.5  
0.2  
μs  
μs  
μs  
IC=-5A;IB1=-IB2=-0.5A ,  
RL=5Ω;VBB2=-4V  
ts  
Storage time  
Fall time  
tf  
2

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