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2SA1880

更新时间： 2024-02-03 04:42:37

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新电元 - SHINDENGEN		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	269K
描述
Switching Power Transistor(-10A PNP)

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2SA1880 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	ITO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.85
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	25 W
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	最大关闭时间（toff）：	1700 ns
最大开启时间（吨）：	300 ns	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

2SA1880 数据手册

SHINDENGEN

Switching Power Transistor

HSV Series

OUTLINE DIMENSIONS

2SA1880

Case : ITO-220

(TP10T8)

Unit : mm

-10A PNP

RATINGS

●Absolute Maximum Ratings

Item

Storage Temperature

Symbol

Tstg

V_CBO

V_CEO

V_EBO

Conditions

Ratings

Unit

℃

-55～150

150

-80

Junction Temperature

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

-80

-7

Collector Current DC

-10

-20

-1.5

Collector Current Peak

Base Current DC

Base Current Peak

-2

Total Transistor Dissipation

Dielectric Strength

P_T

Vdis

TOR

Tc = 25℃

Terminal to case, AC 1 minute

(Recommended torque : 0.3N･m)

M ounting Torque

0.5

N･m

●Electrical Characteristics (Tc=25℃)

Item

Conditions

Symbol

V (sus) I = -0.1A

Ratings

M in -80

Unit

Collector to Emitter Sustaining Voltage

Collector Cutoff Current

CEO

At rated Voltage

M ax -0.1 mA

M ax -0.1

CBO

CEO

Emitter Cutoff Current

At rated Voltage

M ax -0.1 mA

M in 70

EBO

DC Current Gain

h_FE

V_CE= -2V, I =-5A

Collector to Emitter Saturation Voltage

I = -5A

V_CE(sat)

V_BE(sat)

θjc

M ax -0.3

M ax -1.2

M ax 5

TYP 50

M ax 0.3

Base to Emitter Saturation Voltage

Thermal Resistance

I = -0.5A

Junction to case

℃/W

M Hz

Transition Frequency

Turn on Time

V_CE= -10V, I = -1A

ton

I = -5A

Storage Time

Fall Time

I = -0.5A, I = -0.5A

M ax 1.5

M ax 0.2

μs

R_L= 5Ω, V_BB2= -4V

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