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2SA1875

更新时间： 2024-09-22 12:53:35

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描述
High fT : fT=400MHz(typ). High breakdown voltage : VCEO 200V(min).

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2SA1875 数据手册

SMD Type

Product specification

2SA1875

TO-252

Unit: mm

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Features

High f^T: f^T=400MHz(typ).

High breakdown voltage : V^CEO200V(min).

Large current capacitance.

Adoption of FBET process.

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-to-Base Voltage

Collector-to-Emitter Voltage

Emitter-to-Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-200

-3

Unit

-300

-600

-30

Collector Current (Pulse)

Base Current

I^CP

I^B

Collector Dissipation

T^c=25

0.8

P^C

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

T^stg

-55 to 150

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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