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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1532
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2SA1532

更新时间： 2024-11-23 22:52:35
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
Silicon PNP epitaxial planer type

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2SA1532 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.77最大集电极电流 (IC)：0.03 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

2SA1532 数据手册

 浏览型号2SA1532的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SA1532  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For high-frequency amplification  
Complementary to 2SC3930  
Unit: mm  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
Features  
High transition frequency fT.  
■
●
1
●
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
3
2
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
–30  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
–20  
V
0.2±0.1  
–5  
V
–30  
mA  
mW  
˚C  
1:Base  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
150  
2:Emitter  
3:Collector  
EIAJ:SC–70  
S–Mini Type Package  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Marking symbol : E  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
– 0.1  
–100  
–10  
Unit  
µA  
VCB = –10V, IE = 0  
Collector cutoff current  
VCE = –20V, IB = 0  
VEB = –5V, IC = 0  
Emitter cutoff current  
µA  
*
Forward current transfer ratio  
Transition frequency  
hFE  
V
CE = –10V, IC = –1mA  
70  
220  
fT  
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz  
IC = –10mA, IB = –1mA  
150  
300  
– 0.1  
– 0.7  
2.8  
MHz  
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter voltage  
Noise figure  
VBE  
NF  
Zrb  
VCE = –10V, IC = –1mA  
V
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 5MHz  
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 2MHz  
4.0  
60  
dB  
Ω
Reverse transfer impedance  
Common emitter reverse transfer  
capacitance  
22  
VCE = –10V, IC = –1mA  
Cre  
1.2  
2.0  
pF  
f = 10.7MHz  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
B
C
70 ~ 140  
EB  
110 ~ 220  
EC  
Marking Symbol  
1
12

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