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2SA1532GC

更新时间： 2024-02-19 22:28:32

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	237K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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2SA1532GC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1532GC 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SA1532

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency amplification

Complementary to 2SC3930

Unit: mm

+0.10

+0.1

–0.0

0.15

0.3

–0.05

■ Features

• High transition frequency f_T

• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.2

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

10°

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

−30

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

1: Base

2: Emitter

3: Collector

−20

−5

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

−30

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

150

Marking Symbol: E

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_BE

Conditions

V_CE= −10 µA, I_C= −1 mA

V_CB= −10 V, I_E= 0

Min

Typ

Max

Unit

Base-emitter saturation voltage

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

− 0.7

I_CBO

I_CEO

− 0.1

−100

−10

µA



V_CE= −20 V, I_B= 0

I_EBO

V_EB= −5 V, I_C= 0

h_FE

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA

220

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= −1 mA

− 0.1

300

2.8

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

150

MHz

Ω

Noise figure

Z_rb

C_re

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 5 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 2 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 10.7 MHz

4.0

Reverse transfer impedance

Common-emitter reverse transfer capacitance

1.2

2.0

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

50 to 100

70 to 140

110 to 220

Publication date: January 2003

SJC00021BED

12 3

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与2SA1532GC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1532H	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
2SA1532TX	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
2SA1533	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planer type	获取价格
2SA1533Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92VAR	获取价格
2SA1533R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92VAR	获取价格
2SA1534	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planer type	获取价格

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